Premiers pas commerciaux pour la mémoire universelle

Freescale Semiconductor, alors Motorola SPS, avait créé l'événement à la fin 2003 en échantillonnant la première mémoire Ram magnétique (MRam) 4 Mbit du marché, une mémoire quasi idéale qui combine la rapidité d'une Sram, la densité d'une Dram et la non-volatilité d'une mémoire flash.
L'américain récidive en annonçant la commercialisation d'une telle mémoire à un prix de 25 dollars. Ce prix spécifié pour une quantité de 1 000 pièces ne pourra qu'être inférieur en volume.
Un lent travail de maturation
Reste que même si, à 25 dollars, « la solution n'est pas forcément à parité de prix avec d'autres technologies mémoires éprouvées, ce prix n'est pas exagéré compte tenu de l'association de caractéristiques précieuses apportées par les MRam : non-volatilité, rapidité et endurance illimitée », nous a déclaré Andreas Wild, directeur R&D Europe de Freescale Semiconductor.
La quête de la mémoire universelle, pour laquelle la MRam est une prétendante parmi d'autres, ne date pas d'hier. Les premières MRam ont fait leurs débuts dans les conférences il y a plus de six ans.
Les modèles décrits lors de la conférence ISSCC en février 2000 avaient une capacité de seulement 1 Kbit. Les choses sont ensuite allées relativement vite jusqu'à l'échantillonnage de la MRam 4 Mbit de Motorola et la présentation par IBM et Infineon d'un prototype 16 Mbit en juin 2004.
Depuis, plus rien ou presque, même si des jeunes pousses se sont multipliées, notamment en France, tandis que les recherches japonaises finissaient par se concrétiser dans un prototype de MRam 16 Mbit dotée d'un débit de transfert des données de 200 Mo/s, sans industrialisation à la clé pour l'instant. Côté commercial, un seul fabricant, Cypress, a tenté l'aventure avec des MRam 64 Kbit et 256 Kbit ; mais il a vite jeté l'éponge.
Cette fois, les choses se présentent différemment. « Il s'agit d'une vraie solution industrielle répondant à un besoin », affirme Andreas Wild, en précisant que Freescale a livré plus de 9 000 pièces depuis le début de l'échantillonnage général il y a deux ans.
Cette première mémoire MRam commerciale « prouve l'arrivée à maturité de notre technologie, pour laquelle nous avons déposé plus de 100 brevets, ajoute M. Wild. Elle est fabriquée sur la base d'une technologie Cmos 0,18 µm sur laquelle sont rajoutées les couches magnétiques destinées à former la jonction tunnel magnétique.
De ce fait, le traitement de base peut être fait dans n'importe quelle usine de Freescale ou même par un fondeur extérieur. Seul le traitement final est effectué dans l'usine de Chandler en Arizona, où « les rendements sont décents », affirme M. Wild.